الأخبار

سامسونج تعلن اكتشافها مادة (a-BN) ستزيد قابلية التوسع في أشباه الموصلات

سامسونج تعلن اكتشافها مادة (a-BN) ستزيد قابلية التوسع في أشباه الموصلات

أعلنت شركة سامسونج عبر مدونتها عن اكتشاف باحثي معهد سامسونج المتقدم للتكنولوجيا (SAIT) مادة ثنائية الأبعاد جديدة (a-BN) نترايد البورون غير المتبلور، التي سيكون لها أثراً بالغاً في التغلب على تحديات تصنيع أشباه الموصلات وعلى رأسها قابلية التوسيع مما يزيد من كفاءة الرقاقات ويبقى الشركة الكورية مسيطرة على عرش تصنيع أشباه الموصلات.

وأوضحت الشركة في إعلانها عن كون التوصل للمادة الجديدة جاء بالتعاون مع معهد جامعة أولسان الوطنية للتكنولوجيا الواقعة كوريا الجنوبية (UNIST)، وجامعة كامبريدج فيما تم نشر تفاصيل الدارسة في مجلة Nature  العلمية مع الإشارة إلى دور هذا الإكتشاف في الدفع نحو الجيل الثاني من صناعة أشباه الموصلات.

وأشارت الشركة أن الاكتشاف النوعي التي توصل له معهد SAIT جاء بعد فترة من العمل والأبحاث لتطوير المواد ثنايئة الأبعاد_ وهي تتكون من طبقة بلورية وطبقة منفردة من الذرات_ على نسق مشابه لمادة الجرافين التي تم اكتشافها في عام 2004 واعتمدت عليها الشركة في أبحاثها في سبيل توفيرها للاستخدام التجاري.

أما بالنسبة لمادة (a-BN) المتكشفة فهي تتكون من ذرات البورون والنيتروجين ببنية جزئية غير متبلورة؛ فيما تم اشتقاقها من مادة الجرافين الأبيض التي تتكون من ذرات بورون ونيتروجين لكن في بنية وترابط سداسي لذراتها. حيث أن اختلاف آلية التركيب بين البورون الأبيض و(a-BN) جعل الأخيرة بميزات ومواصفات فريدة.

من أول تلك الميزات هو امتلاكها تردد منخفض للغاية بين فئتها بمعامل سماحية 1.78 مع تمتعها بخصائص كهربائية ومكانيكية قوية تُمكن من استخدامها كمادة عزل مترابطة للتقليل من التداخل الكهربائي.

وكذلك أوضحت الشركة أن المادة الجديدة يمكن زراعتها على نطاق الرقاقات في درجة حرارة منخفضة 400 درجة مئوية؛ حيث من المتوقع أن تشغل دور رئيسي في تصنيع أشباه الموصلات وعلى وجه الخصوص الجيل الجديد من الذواكر بنوعيمها DRAM وNAND.

مواضيع ذات صلة:

محادثات بين الحكومة الأمريكية وشركتي إنتل وTSMC لتصنيع المعالجات والرقاقات داخل البلاد (تقرير)


المصدر:

Samsung

الوسوم